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NP MOSFET(12V-300V)
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SiC肖特基二極管單管
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SiC MOSFET模塊
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4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
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6寸晶圓

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8寸晶圓

集成電路

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線性穩(wěn)壓器
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新品發(fā)布

整流橋設(shè)計優(yōu)化新封裝GBU-L

整流橋設(shè)計優(yōu)化新封裝GBU-L 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚杰科技近日推出了一款GBU-L設(shè)計優(yōu)化新封裝，對比原封裝GBU，優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計，銅框架減薄創(chuàng)新，達到設(shè)計降本要求，但產(chǎn)品系性能(常規(guī)電性、高溫性能、散熱能力)與原先產(chǎn)品對比，無明顯差異；廣泛用于家電、照明、適配器電源、二輪電動車充電器等市場。

產(chǎn)品特點 1、產(chǎn)品系列覆蓋 4A~15A，50-1000V；
2、采用創(chuàng)新式的減薄框架設(shè)計，減少銅材耗用，降低成本；
3、內(nèi)部結(jié)構(gòu)重新設(shè)計優(yōu)化，芯片排布更加科學(xué)，結(jié)構(gòu)應(yīng)力較??；
4、常規(guī)電性、高溫性能、散熱能力對比原先產(chǎn)品無明顯差異；

規(guī)格書

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